圧電基板の成膜装置および成膜方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-390299
公開番号（公開出願番号）：特開2003-193229
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：

【要約】【課題】圧電体ウエハにその外周まで均一な金属薄膜を形成できる成膜装置を提供する。【解決手段】スパッタリングターゲット5と;ターゲット5と対向する所定面を持つステージ3と;ステージ3の所定面上に設けられる支持リング2と;ターゲット5、ステージ3、リング2および圧電基板1を内包するチャンバ100と;チャンバ100内にArガスを供給するガス供給源(ボンベ120、バルブ6)とを備えている。リング2に固定された圧電基板1の反対面とリング2とステージ3の所定面は、閉空間123を形成する。ステージ3は、ガス供給源(120、6)から供給されるArガスを閉空間123に導入するガス吸入経路(30、31)と、閉空間123に導入されたArガスをチャンバ100内に排出するガス排出経路(32、33)とを具備している。

請求項（抜粋）：

所定の金属を用いたスパッタリングのターゲットと;前記ターゲットと対向する所定面を持つステージと;前記所定の金属による薄膜が形成されるべき成膜面およびその反対面を持った圧電基板に関して、前記反対面の外周部分が載置されるものであって、前記ステージの所定面上に個別あるいは一体的に設けられる支持部材と;前記圧電基板を前記支持部材に固定する基板固定部材と;前記ターゲット、ステージ、支持部材、基板固定部材および圧電基板を内包するチャンバと;前記チャンバ内に所定の希ガスを供給するガス供給源とを備えたものにおいて、前記支持部材に固定された前記圧電基板の前記反対面と前記支持部材と前記ステージの前記所定面が、所定の閉空間を形成するように構成され、前記ステージが、前記ガス供給源から供給される前記希ガスを前記閉空間に導入するガス吸入経路と、前記閉空間に導入された前記希ガスを前記チャンバ内に排出するガス排出経路とを具備し、前記ガス吸入経路が前記支持部材に固定された前記圧電基板の中央側に対向する位置に配置され、前記ガス排出経路が前記支持部材に固定された前記圧電基板の外周側に対向する位置に配置されるように構成されたことを特徴とする圧電基板の成膜装置。

IPC (4件)：

C23C 14/34 , H01L 41/18 , H01L 41/22 , H03H 3/08

FI (4件)：

C23C 14/34 M , H03H 3/08 , H01L 41/22 Z , H01L 41/18 101 A

Fターム (11件)：

4K029BA03 , 4K029BD00 , 4K029CA05 , 4K029DA06 , 4K029DA08 , 4K029JA06 , 5J097AA28 , 5J097AA32 , 5J097GG03 , 5J097HA02 , 5J097HA10

引用特許：

審査官引用 (5件)

スパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-036819 出願人：株式会社日立製作所
結晶性SiC薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-058690 出願人：株式会社大熊エンジニアリング, 株式会社プラズマシステム
特開昭62-216234

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