特許
J-GLOBAL ID：200903054242158260
処理方法及び処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-366237
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200353
出願日： 2002年12月18日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
【課題】排気系の負担の増大や、ランニングコストの上昇を招くことなく、半導体ウエハWの端部における不所望な堆積物の堆積を防止することのできる処理方法及び処理装置を提供する。【解決手段】真空チャンバ1内には、半導体ウエハWが載置され、下部電極を兼ねたサセプタ2が設けられており、サセプタ2上には、半導体ウエハWの周囲を囲むように、フォーカスリング4が設けられている。また、サセプタ2上に載置された半導体ウエハWの裏面側端部に堆積する堆積物と化学的に反応する作用を有する堆積物除去ガス(例えばO2 等)を、半導体ウエハWの裏面側端部近傍に供給する堆積物除去ガス供給機構30が設けられている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被処理基板の表面に、所定の処理を行う処理方法において、
前記所定の処理に伴って前記被処理基板の端部に堆積する堆積物と化学的に反応する作用を有する堆積物除去ガスを前記被処理基板の端部近傍に供給し、前記堆積物の堆積を防止することを特徴とする処理方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F004AA13
, 5F004BA08
, 5F004BB08
, 5F004BC03
, 5F004CA02
, 5F004DA00
, 5F004DA22
, 5F004DA24
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004DB23
