特許
J-GLOBAL ID：200903054287156462

化合物半導体積層構造を含むデバイスの作成方法及び化合物半導体積層構造の作成方法及びそれを用いて作成するデバイス及びそれを用いた光送信器及びそれを用いた光通信システム

発明者：
尾内 敏彦

尾内 敏彦 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-228860
公開番号（公開出願番号）：特開平10-152399
出願日： 1997年08月11日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：
【要約】【課題】結晶中のV族元素と窒素を置換させる方法を用いた、化合物半導体結晶の作成方法、それを用いて作製された光半導体装置である。【解決手段】化合物半導体積層構造を含むデバイスの作成方法において、V族を含む化合物半導体結晶の、このデバイスの機能層の少なくとも一部となる部分に、少なくとも窒素を含む材料を照射して、照射した部分のV族元素を窒素に置換する。
請求項（抜粋）：
化合物半導体積層構造を含むデバイスの作成方法であって、V族を含む化合物半導体結晶の、このデバイスの機能層の少なくとも一部となる部分に、少なくとも窒素を含む材料を照射して、該照射した部分のV族元素を窒素に置換することを特徴とするデバイスの作成方法。
IPC (4件)：
C30B 29/40 502 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18
FI (4件)：
C30B 29/40 502 D ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (4件)
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