誘電体素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安富耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-174934
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223845
出願日： 1997年06月30日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】簡単な工程で良質の誘電体素子を得ること。【解決手段】基板1上に多結晶構造の下部電極3を形成し、この下部電極3の上にPZTからなる非晶質強誘電体薄膜4と導電性酸化物からなる非晶質上部電極4とを順次形成し、各膜を一度にパターニングした後、酸素雰囲気中で熱処理することにより、非晶質強誘電体薄膜4を多結晶強誘電体薄膜7に、非晶質上部電極5を多結晶上部電極8にそれぞれ結晶化させる。

請求項（抜粋）：

基板上の非晶質誘電体膜をこの膜に接する第1の導電膜と共に一度にパターニングすることを特徴とした誘電体素子の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/04 C , H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-007147
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-002475 出願人：株式会社東芝
薄膜キャパシタ及び半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-082091 出願人：株式会社東芝

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