特許

J-GLOBAL ID：200903054338375890

VCSELアセンブリとその製造方法

発明者： スコット・ダブリュー・コージン ,  マイケル・アール・ティ・タン ,  アルバート・ティ・ユエン ,  デュブラブコ・アイ・バビック
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-345734
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233899
出願日： 1998年12月04日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】垂直空洞面発光レーザ(VCSEL)アセンブリにおいて各VCSELの出力光をある偏向状態にロックする。【解決手段】VCSELアセンブリは、上部ミラー領域、下部ミラー領域、前記上部ミラー領域と下部ミラー領域間の発光領域、導電性基板、及び、下部電極を備え、前記下部ミラー領域が、前記導電性基板と前記発光領域の間に挟まれており、前記導電性基板が、前記下部電極と前記下部ミラー領域の間に挟まれている、VCSEL[111]と;第1の軸に沿って前記発光領域に歪みを誘発する歪み誘発手段[114]と、を備える。

請求項（抜粋）：

垂直空洞面発光レーザ(以下VCSELと呼称する。)アセンブリであって、上部ミラー領域、下部ミラー領域、前記上部ミラー領域と下部ミラー領域間の発光領域、導電性基板、及び、下部電極を備え、前記下部ミラー領域が、前記導電性基板と前記発光領域の間に挟まれており、前記導電性基板が、前記下部電極と前記下部ミラー領域の間に挟まれている、VCSELと;第1の軸に沿って前記発光領域に歪みを誘発する歪み誘発手段と、が含まれているVCSELアセンブリ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 面発光半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-010577   出願人：日本電気株式会社
• 半導体レーザ素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-271966   出願人：シャープ株式会社, 光技術研究開発株式会社
• レーザ装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-550101   出願人：ユニバーシティー・オブ・ブリストル
• 面発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-110821   出願人：日本電気株式会社