ウェハカセットとともに用いる積み重ね可能なカセット

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三枝英二 (外8名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-550744
公開番号（公開出願番号）：特表2002-516231
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2002年06月04日
要約：

【要約】複数の半導体ウェハの加工中に、少なくとも1枚の別個のウェハをテストするための積み重ね可能なカセットを開示している。積み重ね可能なカセット(21)は、複数のウェハを有するベースカセット(1)の上面部(3)に適合する底面部(25)を備えている。さらに、積み重ね可能なカセット(21)は、底面部(25)から垂直に延びる2つまたはそれ以上の支持部(27)と、2つの支持部(27)に水平に連結された上面部(23)とを備えている。支持部は、少なくとも1枚のウェハを保持するためのチャネルを形成するリブ(31)を備えている。複数のウェハを加工する際、積み重ね可能なカセット(21)はベースカセット(1)の上面に配置される。ある特定の加工されたウェハが積み重ね可能なカセット(21)内に配置される。次に、積み重ね可能なカセット(21)は、テストウェハの検査のために取り外される。

請求項（抜粋）：

第1のカセットに保管された複数のウェハからウェハを取り出すステップと;加工システムにおいて、初期設定された加工パラメータにより、前記ウェハを加工するステップと; 該加工されたウェハを前記第1のカセットに積み重ねられた第2のカセット内に配置し、また前記第1のカセットから前記第2のカセットを取り外した後、前記加工されたウェハを測定するステップとを含む半導体ウェハを製造する方法。

Fターム (4件)：

3E053AA10 , 3E053BA10 , 3E053GA20 , 3E053JA06

引用特許：

審査官引用 (3件)

処理方法及び処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-132776 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
処理装置及びその使用方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-354476 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
カセット室
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-290503 出願人：東京エレクトロン株式会社

前のページに戻る