特許
J-GLOBAL ID：200903054446541470

SiC層中にボロンをドープされた領域を生成する方法

発明者：
ロットナー,クルト

ロットナー,クルト について

, 
シエナー,アドルフ

シエナー,アドルフ について


出願人/特許権者：
エービービー リサーチ リミテッド

エービービー リサーチ リミテッド について


代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-516435
公開番号（公開出願番号）：特表2001-501162
出願日： 1997年09月25日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：
【要約】ボロン原子をドープされた少なくとも1つの領域を有するSiCの結晶層を生成する方法であり、該方法は、結晶性SiCの層1へボロンをイオン注入する段階a)およびSiC中に注入されたボロンを電気的に活性化させるため、SiC層を焼鈍のため加熱する段階b)を有する。更に、この方法は段階b)を実行する前にSiC中に存在する炭素の空孔に関して過剰に炭素の割込みを形成するため、前記層1に炭素原子を注入する段階c)を有する。
請求項（抜粋）：
ボロン原子をドープされた少なくとも1つの領域を有するSiCの結晶層を作る方法であって、結晶性SiCの層(1)中へボロンを注入する段階a)、およびSiC層中に注入されたボロンを電気的に活性化させるためにSiC層を焼鈍するための加熱をおこなう段階b)を有する方法に於いて、 段階b)を実行する前にSiC層中に存在する炭素の空孔に関して過剰に炭素割込みを形成するため、該層(1)に炭素原子を注入する段階c)を有し、該段階c)は、段階a)の前に実行される、あるいは段階a)の後に実行される、あるいは段階a)と同時に実行されることを特徴とする上記方法。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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