特許
J-GLOBAL ID:200903054455252170
プラズマ処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
河野 登夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-199307
公開番号(公開出願番号):特開2000-030897
出願日: 1998年07月14日
公開日(公表日): 2000年01月28日
要約:
【要約】【課題】 C4 F8 ガスをベースガスとした反応ガスを用いた場合であっても、容易に被処理物の全領域を均一に処理し得るプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 封止板3の環状電極板5の開口に対向する部分には、環状の溝4が反応器1の中心軸と同心円上に設けてある。例えば、環状電極板5の内径が298mm、封止板3の中央部分の厚さが30mmである場合、溝4の寸法は、外径が280mm、内径が200mm、深さが5mmに定めてある。反応器1内に導入されるマイクロ波のエネルギ強度は、封止板3の厚さが薄い場合の方が、厚さが厚い場合より大きいため、前者の場合の方が後者の場合より生成されるプラズマの密度が高い。そのため、C4 F8 ガスをベースガスとした反応ガスを反応器1内へ導入した場合であっても、反応器1内の前記導入口に対向する領域に、略均一な密度のプラズマを生成することができる。
請求項(抜粋):
一部を封止部材で封止してなる容器内へ、前記封止部材を透過させてマイクロ波を導入することによってプラズマを生成し、生成したプラズマによって前記封止部材に対向配置した被処理物を処理する装置において、前記封止部材には、環状又は渦巻き状の溝が形成してあることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件):
H05H 1/46
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
FI (3件):
H05H 1/46 B
, C23F 4/00 D
, H01L 21/302 B
Fターム (10件):
4K057DA11
, 4K057DB20
, 4K057DD01
, 4K057DE06
, 4K057DM40
, 4K057DN01
, 5F004AA01
, 5F004BA06
, 5F004BC08
, 5F004DA03
引用特許:
出願人引用 (5件)
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プラズマ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-039498
出願人:住友金属工業株式会社
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-031666
出願人:株式会社日立製作所, 日立笠戸エンジニアリング株式会社
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-256639
出願人:松下電器産業株式会社
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-048887
出願人:株式会社日立製作所, 株式会社日立エンジニアリングサービス
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特開昭59-177931
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審査官引用 (6件)
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プラズマ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-039498
出願人:住友金属工業株式会社
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-031666
出願人:株式会社日立製作所, 日立笠戸エンジニアリング株式会社
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-256639
出願人:松下電器産業株式会社
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-048887
出願人:株式会社日立製作所, 株式会社日立エンジニアリングサービス
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特開昭59-177931
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特開昭59-177931
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