特許

J-GLOBAL ID：200903095291217644

プラズマ処理装置

発明者： 岡崎 安直 ,  吉田 善一 ,  木村 忠司 ,  崎山 一幸 ,  今井 徹也
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-256639
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124915
出願日： 1994年10月21日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 高密度のプラズマで大面積の基板でも均一に処理することのできるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 真空排気手段とガス導入口と高周波電力導入口を有する真空容器1と、真空容器1内に設置された被処理基板4を保持する基板保持台3と、真空容器1の高周波電力導入口を塞ぐように設置され真空容器側の面が平面でなく反対の面が平面である誘電体板9と、誘電体板9の真空容器側と反対の全面に接するように設置された中心導体6と、中心導体6とで誘電体板の側面よりマイクロ波8を供給する外導体7とを備え、誘電体板9の形状により高周波電力の放射を最適化し、均一なプラズマ処理を行う。

請求項（抜粋）：

真空排気手段とガス導入口と高周波電力導入口を有する真空容器と、前記真空容器内に設置された被処理基板保持手段と、前記真空容器の高周波電力導入口を塞ぐように設置され前記真空容器側の面が平面でなく反対の面が平面である誘電体板と、前記誘電体板の前記真空容器側と反対の全面に接するように設置された導体と、前記誘電体板の側面より高周波電力を供給する高周波電力供給手段とを備えたプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46