特許
J-GLOBAL ID：200903054480835008

半導体発光装置及びその製造方法

発明者：
齋藤 真司

齋藤 真司 について

, 
小野村 正明

小野村 正明 について

, 
原田 佳幸

原田 佳幸 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-292748
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101156
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】 複数波長の発光素子をモノリシックに形成して成る半導体発光装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 n型GaN基板11上にn型GaNバッファ層12が形成された基板1に、波長の異なる半導体レーザLD1,LD2が一体に形成される。LD1側のn型AlGaNクラッド層2aは、基板のc面を反映した平面Aを有し、LD2側のn型AlGaNクラッド層2bは、傾斜面Bをもって形成される。これらの上に、n型GaN光導波層3a,3b、InGaN活性層4a,4b、p型GaN光導波層5a,5b、p型AlGaNクラッド層7a,7b、p型コンタクト層8a,8bが順次形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板の主面に、その主面と平行な平面と主面から傾斜した傾斜面をもって形成された六方晶窒化物からなる半導体層と、この半導体層の前記平面上及び傾斜面上にそれぞれ形成されてInを互いに異なる組成比で含んだ、六方晶窒化物半導体からなる第1及び第2の発光層と、を有することを特徴とする半導体発光装置。
IPC (3件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/22 610
FI (4件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 F ,  H01S 5/22 610
Fターム (14件)：
5F041AA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CB29 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AB06 ,  5F073CA07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA30 ,  5F073EA04
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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