特許
J-GLOBAL ID：200903097700639443
III-V族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-133987
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330548
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 発光面積の減少を来すことがなく、1つの発光層で高光度の青色光及びこの青色光とは発光波長を異にする短波長可視光を出射することができるプレーナ型のIII-V族窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 III-V族窒化物半導体からなる発光層124を含む積層構造体111を備えたダブルヘテロ接合構造型のIII-V族窒化物半導体発光素子であり、発光層124は、禁止帯幅が互いに異なる複数の発光領域124a〜124cを有する単一の結晶層からなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
III-V族窒化物半導体からなる発光層を含む積層構造体を備えたダブルヘテロ接合構造型のIII-V族窒化物半導体発光素子であって、前記発光層は、禁止帯幅が互いに異なる複数の発光領域を有する単一の結晶層からなることを特徴とするIII-V族窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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