特許
J-GLOBAL ID：200903053751303205
窒化物半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-358430
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164623
出願日： 2000年11月24日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：
【要約】【課題】 低発振しきい電流密度で、かつより長波長側で発振する窒化物半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 サファイア基板1上のGaN層2上に成長したn型のGaN層5に第3の窒化物層であるInGaN多重量子井戸の活性層6の上部、下部がそれぞれp型のGaN層7、n型のGaN層8のガイド層で挟み、さらにそれを上部、下部がそれぞれp型のAlGaN9、n型のAlGaN10クラッド層で挟み、第3の窒化物層のレーザの反対側を第2の窒化物層に到達するまで削った面にn型の電極11を形成し、第3の窒化物のp型のAlGaNクラッド層9上にp電極12を形成し、レーザの光導波路の両端に光反射鏡13を形成する。
請求項（抜粋）：
(0001)面または(0001)面から0.1°〜0.3°傾斜した面方位を有する基板上に設けられた面状の第1の窒化物層と、該第1の窒化物層上に、前記基板に対して<1<U>1</U>00>または<11<U>2</U>0>方向に沿って作製された面を有する第2の窒化物層と、該第2の窒化物層上に、該第2の窒化物層と同じ面方位を有するダブルヘテロ構造を備えた第3の窒化物層とを有することを特徴とする窒化物半導体レーザ。
Fターム (7件)：
5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073DA24
, 5F073EA02
, 5F073EA23
