半導体製造装置用部品及び半導体製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋祥泰 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-010766
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203187
出願日： 2000年01月19日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】従来よりもプラズマ照射を受けた際の不純物汚染が無く,耐久性に優れた半導体製造装置用部品を提供すること。【解決手段】プラズマを利用した半導体製造装置に使用される半導体製造装置用部品1において,半導体製造装置用部品1は,カーボン材料よりなる基材11と,基材11の表面にCVD法により形成された炭化珪素よりなる皮膜12とからなる。皮膜12は,膜厚が80μm以上であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

プラズマを利用した半導体製造装置に使用される半導体製造装置用部品において,該半導体製造装置用部品は,カーボン材料よりなる基材と,該基材の表面にCVD法により形成された炭化珪素よりなる皮膜とからなることを特徴とする半導体製造装置用部品。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C04B 41/87 , H01L 21/31

FI (4件)：

C04B 41/87 V , C04B 41/87 G , H01L 21/31 C , H01L 21/302 B

Fターム (12件)：

5F004AA16 , 5F004BB18 , 5F004BB23 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004BC08 , 5F045AA08 , 5F045BB14 , 5F045DP02 , 5F045EF05 , 5F045EM06 , 5F045EM09

引用特許：

審査官引用 (5件)

高耐食性炭化ケイ素質部材及びその用途
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-244582 出願人：旭硝子株式会社
半導体製造装置用高純度β型炭化ケイ素焼結体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-306293 出願人：株式会社ブリヂストン
特開平1-290521

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