特許
J-GLOBAL ID：200903054493265596

EUV露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
佐々木 知也

佐々木 知也 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-092090
公開番号（公開出願番号）：特開2005-275282
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】EUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決し、充分良好なコントラストを有し、さらに露光時のアウトガスの問題がない優れたポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】下記の一般式(I)及び一般式(II)で表される繰り返し単位を含有する、アルカリ現像液には不溶又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる性質を有する樹脂、及び特定構造の非イオン性含窒素塩基性化合物を含有するポジ型レジスト組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)一般式(I)で表される繰り返し単位及び一般式(II)で表される繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、 (B)EUV光の作用により酸を発生する化合物、及び、 (C)下記(C1)及び(C2)から選択される非イオン性含窒素塩基性化合物 (C1)脂肪族又は芳香族アミン (C2)一分子中に異なる化学的環境の窒素原子を2個以上有する化合物 を含有することを特徴とするEUV露光用ポジ型レジスト組成物。
IPC (4件)：
G03F7/039 ,  C08F212/14 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027
FI (4件)：
G03F7/039 601 ,  C08F212/14 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R
Fターム (29件)：
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB45 ,  2H025FA17 ,  4J100AB04R ,  4J100AB07P ,  4J100AL03R ,  4J100AL08Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA06Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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