特許
J-GLOBAL ID：200903025635861515

パターン形成方法

発明者：
遠藤 政孝

遠藤 政孝 について

, 
笹子 勝

笹子 勝 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-100944
公開番号（公開出願番号）：特開2003-075998
出願日： 2002年04月03日
公開日（公表日）： 2003年03月12日
要約：
【要約】【課題】 レジスト膜の厚さを250nmよりも薄くしても、溶解性のコントラストが低下しないようにして、解像度の低下を抑制できるパターン形成方法を提供する。【解決手段】 酸の作用によりアルカリ性現像液に対する溶解性が変化するベースポリマーと、カウンターアニオンを構成する芳香環のメタ位に少なくとも1つの電子吸引性基が導入されておりエネルギービームが照射されると酸を発生する酸発生剤とを有するポジ型の化学増幅型レジスト材料よりなり、250nm以下の膜厚を持つレジスト膜11を半導体基板10の上に形成する。レジスト膜11に対して、電子線12をマスク13を介して選択的に照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜11を現像してレジストパターン15を形成する。
請求項（抜粋）：
酸の作用によりアルカリ性現像液に対する溶解性が変化するベースポリマーと、カウンターアニオンを構成する芳香環のメタ位に少なくとも1つの電子吸引性基が導入されておりエネルギービームが照射されると酸を発生する酸発生剤とを有するポジ型の化学増幅型レジスト材料よりなり、250nm以下の膜厚を持つレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に対して、電子線又は1nm帯〜30nm帯の波長を持つ極紫外線を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光された前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパタ-ン形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (21件)：
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ00 ,  2H025CA48 ,  2H025CB14 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA05 ,  2H096FA01
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM