特許
J-GLOBAL ID：200903054522676487
磁気抵抗効果素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-261687
公開番号（公開出願番号）：特開2001-084530
出願日： 1999年09月16日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 フリー磁性層の磁化が、第1の反強磁性層との交換異方性磁界によるバイアス磁界を受けて所定方向に揃えられ、前記第1の反強磁性層上に導電層が形成される場合では、導電層からの検出電流が、比抵抗値の高い第1の反強磁性層を通って多層膜に流れるので、前記多層膜に流れる検出電流は減少し、再生特性を低下させる問題があった。【解決手段】 第1の反強磁性層21を導電層22よりも比抵抗値の高い反強磁性材料で形成し、しかも前記導電層22を前記第1の反強磁性層21上からフリー磁性層18上にまで延ばして形成することで、前記導電層22からの検出電流の、第1の反強磁性層21への分流を抑え、適切に多層膜19内に検出電流を流すことができ、出力特性の向上を図ることができる。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果を発揮する多層膜と、前記多層膜を形成するひとつの層に対しトラック幅方向に所定の間隔を空けて接しまたは前記層の両側に位置する強磁性層に接して前記層の磁化方向を揃える一対の第1の反強磁性層と、前記第1の反強磁性層に接し前記多層膜に検出電流を与える一対の導電層が設けられた磁気抵抗効果素子において、前記第1の反強磁性層は、導電層よりも比抵抗の高い反強磁性材料で形成され、前記一対の導電層は、前記第1の反強磁性層と重なり且つ前記間隔内で前記多層膜を形成する前記層に接しており、前記一対の導電層の間の距離により前記多層膜で外部磁界を検出する際のトラック幅が決められていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
Fターム (5件)：
5D034BA04
, 5D034BA08
, 5D034BA15
, 5D034CA08
, 5D034DA07
