特許

J-GLOBAL ID：200903054551421013

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： 河田 将人 ,  田代 勉
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-067745
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269361
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 製造工程の追加を行わずに信頼性の向上及び高速性能の向上を共に図ることができる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 メモリトランジスタと選択トランジスタの2つのトランジスタからなるメモリセルを用いた不揮発性半導体記憶装置において、メモリトランジスタ部12と選択トランジスタ部13の各ゲート酸化膜の膜厚を異ならせた。

請求項（抜粋）：

メモリトランジスタと選択トランジスタの2つのトランジスタからなるメモリセルを用いた不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリトランジスタと前記選択トランジスタの各ゲート酸化膜の膜厚を異ならせたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 461

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 434

Fターム (36件)：

5F001AA08 ,  5F001AA62 ,  5F001AB08 ,  5F001AD12 ,  5F001AD22 ,  5F001AD41 ,  5F001AD44 ,  5F001AE50 ,  5F001AF06 ,  5F001AG02 ,  5F001AG12 ,  5F001AG21 ,  5F001AG22 ,  5F001AG40 ,  5F083EP42 ,  5F083EP55 ,  5F083ER22 ,  5F083GA01 ,  5F083GA11 ,  5F083GA28 ,  5F083JA04 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR36 ,  5F083PR43 ,  5F083PR45 ,  5F083PR46 ,  5F083PR53 ,  5F083PR55 ,  5F083PR56 ,  5F083ZA07 ,  5F083ZA13

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 分離トランジスタを有するEEPROMセルとその製造・動作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-090134   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 半導体集積回路装置の製造方法、半導体集積回路装置、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-217212   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-205944
  
• 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-064529   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭63-205944