特許
J-GLOBAL ID:200903054571377347
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-210108
公開番号(公開出願番号):特開2004-055301
出願日: 2002年07月18日
公開日(公表日): 2004年02月19日
要約:
【課題】均一性の高いプラズマ処理技術を提供する。【解決手段】一対の電極1および2を被処理基材8に対して傾けて配置する。プラズマ発生部3で発生したプラズマをプラズマ供給口14から斜めに被処理基材8の表面17に供給し、処理部7において雰囲気ガスと反応させる。活性化された雰囲気ガスによって、被処理基材8の表面17にプラズマ処理が施される。またこの際、移動ステージ9を矢印19の方向に移動させる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
大気圧または大気圧近傍の圧力下においてグロー放電プラズマを発生する対向電極対と、
前記プラズマを前記対向電極対の間から被処理面へ供給するプラズマ供給口と、
を含み、
前記対向電極対は、前記被処理面に対して傾いて配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件):
H05H1/24
, B01J19/08
, C23C16/515
FI (4件):
H05H1/24
, B01J19/08 E
, B01J19/08 H
, C23C16/515
Fターム (18件):
4G075AA24
, 4G075AA30
, 4G075BC04
, 4G075BC06
, 4G075BC10
, 4G075CA16
, 4G075CA47
, 4G075DA02
, 4G075DA18
, 4G075EC21
, 4G075ED13
, 4G075FB02
, 4G075FB04
, 4G075FB06
, 4G075FB12
, 4G075FC15
, 4K030FA01
, 4K030KA30
引用特許:
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