特許
J-GLOBAL ID：200903008248684417

プラズマ処理装置と薄膜形成方法および表面処理方法

発明者：
市川 幸美

市川 幸美 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-383765
公開番号（公開出願番号）：特開2002-180257
出願日： 2000年12月18日
公開日（公表日）： 2002年06月26日
要約：
【要約】【課題】 電極等への反応生成物のパウダーや膜の付着と、電極や基体の異常温度上昇を防止し、高品質の膜を形成することが可能な非減圧のプラズマ処理装置と、同装置による薄膜形成方法および表面処理方法を提供する。【解決手段】 装置本体容器5内部を接地電極3により、第1の空間1と第2の空間2とに分離し、第1の空間には、接地電極に対向して高周波電極(もしくは直流高圧電極)4を設けて放電領域を形成し、第2の空間には、接地電極に対向して加熱手段を有する基体の載置板13を設けてなり、前記第1の空間に水素等の放電用ガスを供給して、非減圧下でのプラズマ放電により原子状水素を発生させ、この原子状水素を接地電極に設けた複数個のガス流通孔12から第2の空間2に導入して、この第2の空間に供給された半導体ガス分子と反応させて、第2の空間2に配設された基体11表面に薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
高周波電極(もしくは直流高圧電極)と接地電極とからなる一対の電極を有し、電圧を印加することにより、非減圧下で放電プラズマを生成し、プラズマ処理により基体表面に薄膜形成もしくは基体の表面処理を行なうプラズマ処理装置であって、装置本体容器内部を前記接地電極により、第1の空間と第2の空間とに分離し、前記第1の空間には、前記接地電極に対向して高周波電極(もしくは直流高圧電極)を設けて放電領域を形成し、前記第2の空間には、前記接地電極に対向して加熱手段を有する前記基体の載置板を設けてなり、さらに、前記第1の空間および第2の空間にはそれぞれ異なるガスを供給するガス供給口を備え、前記第2の空間にはガス排出口を備え、かつ前記接地電極には複数個のガス流通孔を備えてなることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6件)：
C23C 16/509 ,  B01J 19/08 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 ,  H05H 1/24 ,  H05H 1/46
FI (6件)：
C23C 16/509 ,  B01J 19/08 H ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/24 ,  H05H 1/46 A ,  H01L 31/04 V
Fターム (45件)：
4G075AA30 ,  4G075BC04 ,  4G075CA13 ,  4G075CA15 ,  4G075DA01 ,  4G075EB42 ,  4G075EC21 ,  4G075FA01 ,  4K030AA05 ,  4K030AA06 ,  4K030BA24 ,  4K030BA30 ,  4K030BB04 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  4K030JA09 ,  4K030KA15 ,  4K030KA30 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AB05 ,  5F045AC01 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AE29 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045DP04 ,  5F045DP22 ,  5F045EF05 ,  5F045EF20 ,  5F045EH04 ,  5F045EH14 ,  5F045EK07 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA16 ,  5F051CA23 ,  5F051CA24 ,  5F051CA35 ,  5F051GA05
引用特許：
審査官引用 (7件)
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