特許
J-GLOBAL ID：200903054608752011
磁気記録媒体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
松山 圭佑
, 高矢 諭
, 牧野 剛博
, 嶋田 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-267528
公開番号（公開出願番号）：特開2008-090881
出願日： 2006年09月29日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：
【課題】記録層を所望の凹凸パターンに高精度で加工でき、且つ、樹脂層を確実に除去できる生産効率が良い磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】炭素を主成分とする主マスク層の上に酸素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有する副マスク層を設け、更に主マスク層と副マスク層との間に酸素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有し、且つ、ハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが酸素系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートよりも高い中間マスク層を設け、副マスク層加工工程(S106)と中間マスク層加工工程(主マスク層加工工程)(S110)との間で樹脂層除去工程(S108)を実行し、樹脂層除去工程(S108)で酸素系ガスを用い、中間マスク層加工工程(主マスク層加工工程)(S110)でハロゲン系ガスを用いる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板、磁性材料の連続膜の記録層、炭素を主成分とする主マスク層、酸素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有し、且つ、ハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが前記酸素系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートよりも高い中間マスク層、前記酸素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有し、且つ、前記中間マスク層よりも前記ハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが低い副マスク層及び前記酸素系ガスを用いたドライエッチングにより除去される性質を有する樹脂層を有し、これらの層がこの順で前記基板の上に形成された被加工体の出発体を準備する準備工程と、前記樹脂層を所定の凹凸パターンに加工する樹脂層加工工程と、ドライエッチングにより前記樹脂層に基づいて前記副マスク層を前記凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工する副マスク層加工工程と、前記酸素系ガスを用いたドライエッチングにより前記樹脂層のうち前記副マスク層上に残存する樹脂層を除去する樹脂層除去工程と、前記ハロゲン系ガスを用いたドライエッチングにより前記副マスク層に基づいて前記中間マスク層を前記凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工する中間マスク層加工工程と、ドライエッチングにより前記副マスク層及び前記中間マスク層の少なくとも一方に基づいて前記主マスク層を前記凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工する主マスク層加工工程と、ドライエッチングにより前記主マスク層に基づいて前記記録層を前記凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工して該凹凸パターンの凸部として記録要素を形成する記録層加工工程と、を含み、これらの工程をこの順で実行することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5D112AA05
, 5D112AA19
, 5D112AA24
, 5D112GA00
, 5D112GA20
出願人引用 (3件)
審査官引用 (6件)
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