特許
J-GLOBAL ID：200903054626452130

不揮発性半導体記憶装置並びに不揮発性半導体記憶装置の書き込み及び消去方法

発明者：
友枝 光弘

友枝 光弘 について


出願人/特許権者：
三菱電機セミコンダクタソフトウエア株式会社

三菱電機セミコンダクタソフトウエア株式会社 について

, 
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-313334
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169286
出願日： 1993年12月14日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】 過消去状態のメモリセルの検出あるいは救済することができる不揮発性半導体記憶装置を得る。【構成】 負電圧発生回路31は、コマンドデコーダ13′から得た動作モード信号OEVが過消去ベリファイモードを指示する時に負電圧を発生する。Xデコーダ32は動作モード信号OEVが過消去ベリファイモードを指示するとき、0V電圧及び負電圧をメモリアレイ1内のワード線に選択的に供給する。したがって、0Vがゲートに付与された選択メモリセルのオン/オフを検証することにより、該選択メモリセルの過消去状態であるか否かを検証することができる。
請求項（抜粋）：
電気的書き込み,消去可能な複数のメモリトランジスタを有し、外部から入力されるコマンドが書き込み動作を指示するとき、前記複数のメモリセルのいずれかの閾値電圧を選択的に上昇させる書き込み動作を実行し、前記コマンドが消去動作を指示するとき前記複数のメモリトランジスタすべての閾値電圧を下降させる消去動作を実行する機能を備えた不揮発性半導体記憶装置において、いかなる状態のメモリトランジスタであっても強制的にオフさせるレベルのオフ電圧を発生するオフ電圧発生手段と、正常な消去状態のメモリトランジスタであればオフし、正常消去状態の閾値電圧より所定レベル以上低下した閾値電圧を有する過消去状態のメモリトランジスタであればオンするレベルのベリファイ電圧を発生するベリファイ電圧発生手段と、前記コマンドを受け、該コマンドが過消去ベリファイ動作を指示するとき、前記複数のメモリトランジスタのうち、選択状態のメモリトランジスタのゲートに前記ベリファイ電圧を付与し、非選択状態のメモリトランジスタのゲートに前記オフ電圧を付与することにより、前記選択状態のメモリトランジスタのオン/オフに基づき、過消去状態か否かを検証して検証結果を外部に出力する過消去ベリファイ動作を実行する過消去ベリファイ実行手段とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06 ,  G11C 29/00 303
FI (2件)：
G11C 17/00 309 E ,  G11C 17/00 530 D
引用特許：
審査官引用 (4件)
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