特許
J-GLOBAL ID：200903054697289176

半導体発光素子およびその製造方法および面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法および光送信モジュールおよび光送受信モジュールおよび光通信システム

発明者：
佐藤 俊一

佐藤 俊一 について

, 
高橋 孝志

高橋 孝志 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-390927
公開番号（公開出願番号）：特開2003-198060
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 MOCVD法によって作製可能な高品質で実用レベルのGaInNAs系半導体発光素子およびその製造方法および面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法および光送信モジュールおよび光送受信モジュールおよび光通信システムを提供する。【解決手段】 基板301と窒素を含む活性層306との間にAlを含む半導体層302を設ける半導体発光素子を製造するとき、Alを含む半導体層302を成長した後であって、窒素を含む活性層306の成長を開始させる前に、エッチングガスとして塩素系化合物ガスを成長室内に供給し、成長室内に残留したAl原料、または、Al反応物、または、Al化合物、または、Alを除去する工程を設ける。
請求項（抜粋）：
基板と窒素を含む活性層との間にAlを含む半導体層を設ける半導体発光素子の製造方法において、Alを含む半導体層を成長した後であって、窒素を含む活性層の成長を開始させる前に、エッチングガスとして塩素系化合物ガスを成長室内に供給し、成長室内に残留したAl原料、または、Al反応物、または、Al化合物、または、Alを除去する工程を設けたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01S 5/183 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01S 5/183 ,  H01L 21/205
Fターム (23件)：
5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045HA03 ,  5F045HA23 ,  5F073AA09 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073BA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073DA27 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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