シリコン単結晶製造装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-088144
公開番号（公開出願番号）：特開2001-270797
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月02日
要約：

【要約】【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造において、単結晶の冷却効果を高め、引き上げ速度を上げて生産性を向上させると共に、装置構造が簡素で、安全性およびハンドリング性に優れるシリコン単結晶製造装置を提供する。【解決手段】引き上げ中のシリコン単結晶を取り囲み、上部が環状のリムで、その下部が下に向かう程縮径された輻射熱反射体と、該輻射熱反射体の外側を断熱材を挟んで取り囲む輻射熱遮蔽体を有し、該輻射熱反射体と該輻射熱遮蔽体は少なくとも2箇所の接続部で一体化し、接続部以外では互いに接触していないシリコン単結晶製造装置である。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造装置であって、引き上げ中のシリコン単結晶の周りを取り囲み、上部が環状のリム部で、その下部が下に向かう程縮径された輻射熱反射体と、該輻射熱反射体の外側を、加熱ヒーター、ルツボおよびシリコン融液の表面から該輻射熱反射体への直接の熱輻射を遮るようにして、断熱材を挟んで取り囲む、輻射熱遮蔽体とを有し、該輻射熱反射体と該輻射熱遮蔽体は、少なくとも2箇所の接続部で一体化し、該接続部以外は互いに接触していないことを特徴とするシリコン単結晶製造装置。

IPC (2件)：

C30B 29/06 502 , H01L 21/208

FI (2件)：

C30B 29/06 502 C , H01L 21/208 P

Fターム (13件)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077EG19 , 5F053AA13 , 5F053AA22 , 5F053BB13 , 5F053BB60 , 5F053DD01 , 5F053FF04 , 5F053GG01 , 5F053RR05 , 5F053RR20

引用特許：

審査官引用 (9件)

特許第2562245号
単結晶製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-037082 出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
特許第2562245号

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