特許
J-GLOBAL ID：200903054734077443
半導体基板およびその製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
松山 允之
, 池上 徹真
, 須藤 章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-277182
公開番号（公開出願番号）：特開2008-177530
出願日： 2007年10月25日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：
【課題】異なる結晶面方位を有する半導体ウェーハを直接接合することによって形成される半導体基板であって、接合界面の平坦性を改善し、表面粗さ(ラフネス)を低減することにより、表面に形成される半導体デバイスの特性が向上する半導体基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】第1の半導体ウェーハと第2の半導体ウェーハとが直接接合されることによって形成される半導体基板であって、第1の半導体ウェーハと第2の半導体ウェーハとのいずれか一方の半導体ウェーハの表面が概ね{100}面方位を有し、他方の半導体ウェーハの表面が{110}面に対して、0度以上0.12度以下、または、5度以上11度以下の傾斜角(オフ角)を有することを特徴とする半導体基板およびその製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の半導体ウェーハと第2の半導体ウェーハとが直接接合されることによって形成される半導体基板であって、
前記第1の半導体ウェーハと前記第2の半導体ウェーハとのいずれか一方の半導体ウェーハの表面が概ね{100}面方位を有し、
他方の半導体ウェーハの表面が{110}面に対して、0度以上0.12度以下、または、5度以上11度以下の傾斜角(オフ角)を有することを特徴とする半導体基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/02 B
, H01L21/324 X
