特許
J-GLOBAL ID：200903020035473676
直接接合ウェーハの製造方法及び直接接合ウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-346235
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156770
出願日： 2004年11月30日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】ボイドの発生が抑制された直接接合ウェーハの製造方法及びボイド数が少ない直接接合ウェーハを提供することを目的とする。【解決手段】直接接合ウェーハの製造方法であって、ボンドウェーハとベースウェーハのうち、少なくとも一方のウェーハの表面に熱酸化膜またはCVD酸化膜を形成し、該酸化膜を介して他方のウェーハと接合させた後、ボンドウェーハを薄膜化し、貼り合わせウェーハを作製して、その後、該貼り合わせウェーハに対して、不活性ガス、水素、またはこれらの混合ガスのいずれかを含む雰囲気下においてアニール工程を行うことにより、前記ボンドウェーハとベースウェーハの間にある酸化膜を除去してボンドウェーハとベースウェーハを直接接合する直接接合ウェーハの製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
直接接合ウェーハの製造方法であって、ボンドウェーハとベースウェーハのうち、少なくとも一方のウェーハの表面に熱酸化膜またはCVD酸化膜を形成し、該酸化膜を介して他方のウェーハと接合させた後、ボンドウェーハを薄膜化し、貼り合わせウェーハを作製して、その後、該貼り合わせウェーハに対して、不活性ガス、水素、またはこれらの混合ガスのいずれかを含む雰囲気下においてアニール工程を行うことにより、前記ボンドウェーハとベースウェーハの間にある酸化膜を除去してボンドウェーハとベースウェーハを直接接合することを特徴とする直接接合ウェーハの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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