特許

J-GLOBAL ID：200903054810741030

有機電界効果トランジスタ

発明者： 荒牧 晋司 ,  芳山 龍一 ,  酒井 良正
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-237443
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101555
出願日： 2004年08月17日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】 高特性を容易な作製プロセスで得ることができる有機デバイスを提供する。【解決手段】 基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜及び有機半導体層を有する有機電界効果トランジスタにおいて、有機半導体層のゲート絶縁膜と異なる側に、芳香族化合物及び/又は芳香環含有ポリマーを含み、活性な基の含有量が絶縁層中に4×10-4モル/cm3以下である絶縁層を有し、かつ有機半導体層のゲート絶縁膜と異なる側に積層された全ての層の電気抵抗が有機半導体層よりも小さいことを特徴とする電界効果トランジスタ。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜及び有機半導体層を有する有機電界効果トランジスタにおいて、有機半導体層のゲート絶縁膜と異なる側に、芳香族化合物及び/又は芳香環含有ポリマーを含み、活性な基の含有量が絶縁層中に4×10-4モル/cm3以下である絶 縁層を有し、かつ有機半導体層のゲート絶縁膜と異なる側に積層された全ての層の電気抵抗が有機半導体層よりも小さいことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (4件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/28

Fターム (31件)：

5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA08 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD12 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 有機半導体装置及び液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-264964   出願人：株式会社日立製作所
• 米国公開特許2002/0155729公報
  
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-234113   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (3件)

• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-230447   出願人：株式会社日立製作所
• 集積無機/有機相補型薄膜トランジスタ回路およびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-555282   出願人：シンフイルムエレクトロニクスエイエスエイ
• 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-069529   出願人：株式会社日立製作所