特許
J-GLOBAL ID：200903054861131171

SiC単結晶の製造方法

発明者：
中村 昌照

中村 昌照 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (3件)： 石田 敬 ,  鶴田 準一 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-119952
公開番号（公開出願番号）：特開2004-323293
出願日： 2003年04月24日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
【課題】温度勾配を用いずに安定してSiC単結晶を製造する方法を提供する。【解決手段】原料粉末を種結晶に接触させて常温または加熱下にて加圧し、得られた圧粉体を常圧下で熱処理する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
原料粉末を種結晶に接触させて常温にて加圧し、得られた圧粉体を常圧下で熱処理することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
IPC (4件)：
C30B29/36 ,  C30B1/04 ,  C30B1/12 ,  H01L21/208
FI (4件)：
C30B29/36 A ,  C30B1/04 ,  C30B1/12 ,  H01L21/208 Z
Fターム (17件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CA04 ,  4G077CA09 ,  4G077EB05 ,  4G077HA06 ,  4G077JA06 ,  4G077JA08 ,  4G077JB02 ,  4G077JB04 ,  4G077JB07 ,  5F053DD02 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053PP20
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM