半導体装置の製造方法及びその製造方法による半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：小川勝男 , 田中恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-135668
公開番号（公開出願番号）：特開2004-342733
出願日： 2003年05月14日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：

【課題】半導体表面に酸化物が生成しないウェットエッチング方法及び半導体装置の高性能化、高信頼化を実現する。【解決手段】化合物半導体を溶液を用いてエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において、エッチング溶液が、6B族原子を構成要素に含む化学物質を含有し、且つ該化学物質を構成する全ての6B族原子の原子番号が16以上(例えば、化学物質を構成する全ての6B族原子が硫黄原子)のものを用いて化合物半導体のウェットエッチングを行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

化合物半導体を溶液を用いてエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において、該溶液が、6B族原子を構成要素に含む化学物質を含有し、且つ該化学物質を構成する全ての6B族原子の原子番号が16以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L21/308 , H01L21/331 , H01L21/338 , H01L27/15 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01S5/227

FI (5件)：

H01L21/308 A , H01L27/15 A , H01S5/227 , H01L29/72 H , H01L29/80 H

Fターム (38件)：

5F003BA92 , 5F003BF06 , 5F003BH07 , 5F003BM03 , 5F003BP11 , 5F003BP93 , 5F043AA03 , 5F043AA04 , 5F043BB06 , 5F043DD12 , 5F073AA26 , 5F073AA74 , 5F073CA15 , 5F073CB02 , 5F073CB11 , 5F073DA23 , 5F073EA23 , 5F073EA28 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GK05 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GS02 , 5F102GS04 , 5F102GT03 , 5F102GV05 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC16 , 5F102HC18

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-284420
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-277623 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-124839

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