特許
J-GLOBAL ID：200903054909277050

面型光素子およびその製造方法

発明者：
請地 光雄

請地 光雄 について


出願人/特許権者：
日本航空電子工業株式会社

日本航空電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-288134
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135517
出願日： 1996年10月30日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 光素子の実装面積を光素子チップ自体の面積近くまで削減した小型高密度実装する面型光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 光素子チップ1をマトリクス状に形成した半導体ウェハ8をダイシングして形成した光素子2を具備し、低損失ガラスウェハ7をダイシングして形成され光素子2に貼り付けられた低損失ガラスウェハ片7’を具備し、光素子2のダイシング端面に露出した光素子チップ1に対する電気信号入出力用電極4の電極断面10を具備し、電極断面10に接続して光素子2のダイシング端面および裏面にかけて成膜形成された半田付け電極40を具備する面型光素子およびその製造方法。
請求項（抜粋）：
光素子チップをマトリクス状に形成した半導体ウェハをダイシングして形成した光素子を具備し、低損失ガラスウェハをダイシングして形成され光素子に貼り付けられた低損失ガラスウェハ片を具備し、光素子のダイシング端面に露出した光素子チップに対する電気信号入出力用電極の電極断面を具備し、電極断面に接続して光素子のダイシング端面および裏面にかけて成膜形成された半田付け電極を具備することを特徴とする面型光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  G02B 6/42
FI (2件)：
H01L 33/00 E ,  G02B 6/42
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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