加熱装置、処理装置、加熱方法及び処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-271497
公開番号（公開出願番号）：特開平10-097999
出願日： 1996年09月21日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】被加熱体及び被処理体の温度を円周方向に関しても均一に保持し、被加熱体及び被処理体の全面における温度の均一性を保持することが可能な加熱装置を提供する。【解決手段】加熱手段126と、前記加熱手段による加熱位置に被加熱体Wが配置されるように被加熱体を支持する支持手段111と、前記加熱手段及び前記被加熱体を相対的に回動する回動手段145とを備えた加熱装置において、前記加熱手段は、前記被加熱体の円周方向に生じた温度ムラを補償する。

請求項（抜粋）：

加熱手段と、前記加熱手段による加熱位置に被加熱体が配置されるように被加熱体を支持する支持手段と、前記加熱手段及び前記被加熱体を相対的に回動する回動手段とを備え、前記加熱手段は、前記被加熱体の円周方向に生じた温度ムラを補償することを特徴とする加熱装置。

IPC (7件)：

H01L 21/205 , C23C 14/50 , C23C 16/44 , C23C 16/46 , C23C 16/52 , H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (7件)：

H01L 21/205 , C23C 14/50 E , C23C 16/44 H , C23C 16/46 , C23C 16/52 , H01L 21/31 B , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜製造方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-350522 出願人：新日本製鐵株式会社
エピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-051862 出願人：コマツ電子金属株式会社, 株式会社小松製作所
特開平4-297581

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