特許
J-GLOBAL ID：200903054939357651
p型窒化ガリウム系化合物半導体、その製造方法および青色発光素子
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-100506
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294490
出願日： 1997年04月17日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】 p型窒化ガリウム系化合物半導体中のp型不純物をより効率的に活性化する。【解決手段】 気相成長法を用いてp型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体膜を形成する成膜工程後、膜表面に平行に流れる一定流量の不活性ガスを供給しながら前記窒化ガリウム系化合物半導体膜を400°C以上好ましくは700°C以上でアニール処理を行う。
請求項（抜粋）：
気相成長法を用いてp型不純物が添加された窒化ガリウム系半導体膜を形成する成膜工程後、前記窒化ガリウム系化合物半導体膜の膜表面に平行な流れを有する一定流量の不活性ガスを供給しながら、前記窒化ガリウム系化合物半導体膜を400°C以上に加熱するアニール処理工程を有し、不活性ガスの前記一定流量が、前記窒化ガリウム系化合物半導体膜中に添加されたp型不純物の1%より多くを活性化するように設定されるp型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
