特許
J-GLOBAL ID:200903054987537343
反強磁性体膜とそれを用いた交換結合膜、磁気抵抗効果素子および磁気装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
須山 佐一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-204355
公開番号(公開出願番号):特開2006-041511
出願日: 2005年07月13日
公開日(公表日): 2006年02月09日
要約:
【課題】耐食性や熱特性に優れるMn合金からなる反強磁性体膜において、膜組成や膜質の安定化を図り、室温および高温域で十分な交換結合力を安定して得られるようにする。【解決手段】反強磁性体膜は、20〜95原子%のMnを含み、残部が実質的にNi、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、WおよびReから選ばれる少なくとも1種のR元素からなる。このような反強磁性体膜において、R元素とMnとの合金相および化合物相から選ばれる少なくとも1種を有すると共に、最大粒径が50μmを超える単相のMn粒が存在しないスパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜してなる反強磁性体膜であって、スパッタリングターゲットからの組成のずれが10原子%以下の膜組成を有する。反強磁性体膜3は強磁性体膜4と積層して交換結合膜2を構成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
20〜95原子%のMnを含み、残部が実質的にNi、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、WおよびReから選ばれる少なくとも1種のR元素からなる反強磁性体膜において、
前記反強磁性体膜は、前記R元素とMnとの合金相および化合物相から選ばれる少なくとも1種を有すると共に、最大粒径が50μmを超える単相のMn粒が存在しないスパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜してなる反強磁性体膜であって、前記スパッタリングターゲットからの組成ずれが10原子%以下の膜組成を有することを特徴とする反強磁性体膜。
IPC (11件):
H01F 10/12
, H01F 10/32
, H01F 41/18
, H01L 27/105
, H01L 21/824
, H01L 43/08
, G11B 5/39
, G01R 33/09
, H01L 43/10
, H01L 43/12
, C22C 22/00
FI (10件):
H01F10/12
, H01F10/32
, H01F41/18
, H01L27/10 447
, H01L43/08 Z
, G11B5/39
, G01R33/06 R
, H01L43/10
, H01L43/12
, C22C22/00
Fターム (13件):
2G017AB07
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5D034BA03
, 5D034CA02
, 5D034CA06
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049BA06
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5E049GC02
, 5F083FZ10
引用特許:
出願人引用 (3件)
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米国特許第4,103,315号明細書
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米国特許第5,014,147号明細書
-
米国特許第5,315,468号明細書
審査官引用 (5件)
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