特許

J-GLOBAL ID：200903055013005430

成膜方法

発明者： 前田 和夫 ,  徳増 徳 ,  湯山 芳章
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-210896
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064029
出願日： 1995年08月18日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】熱CVD法によるフッ素含有シリコン酸化膜の成膜方法に関し、カバレージに優れ、比誘電率が小さく、膜質の安定なフッ素含有シリコン酸化膜を形成する。【解決手段】基板6を加熱した状態でSi-F結合を有する有機シランとSi-F結合を有しない有機シランと酸化性ガスとを含む混合ガスを反応させて基板6上にフッ素含有シリコン酸化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

基板を加熱した状態でSi-F結合を有する有機シランとSi-F結合を有しない有機シランと酸化性ガスとを含む混合ガスを反応させて前記基板上にフッ素含有シリコン酸化膜を形成することを特徴とする成膜方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/31 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の多層配線層間絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-304196   出願人：日本電気株式会社
• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-006381   出願人：キヤノン販売株式会社, アルキヤンテック株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
• 特開平4-167431
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-193781   出願人：富士通株式会社