特許

J-GLOBAL ID：200903055014245353

半導体装置及びその製造方法

発明者： 上原 隆 ,  金澤 正人
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-042495
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340792
出願日： 2000年02月21日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 ポリシリコン膜上に耐酸化性が低い低抵抗膜を積層した多層構造のゲート電極を有し、セルフアラインコンタクトを有する半導体装置を提供する。【解決手段】 ゲート電極21は、ポリシリコン膜からなる下部電極21aと、低抵抗膜を含む上部電極21bとにより構成されている。第1の窒化膜サイドウォール32は、少なくとも上部電極21b及び絶縁体キャップ31の側面上に形成され、保護酸化膜34は下部電極21aの少なくとも一部の側面と半導体基板の上面との上に形成されている。第1の窒化膜サイドウォール32及び保護酸化膜34を覆う第2の窒化膜サイドウォール33が形成されているので、コンタクトを形成する際のエッチングにおいては、セルフアラインコンタクト孔を形成することができる。その結果、信頼性の高いセルフアラインコンタクトを有する半導体装置が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に形成されたゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜の上に形成され、シリコン膜からなる下部電極と少なくとも最上部が金属を含む材料からなる上部電極とを積層して構成されるゲート電極と、上記ゲート電極の上に形成され少なくとも最上部がシリコン窒化膜により構成される絶縁体キャップと、少なくとも上記ゲート電極の上部電極及び上記絶縁体キャップの側面上に形成された第1の窒化膜サイドウォールと、上記ゲート電極のうち上記第1の窒化膜サイドウォールによって覆われていない領域の側面と半導体基板の上面との上に形成された保護酸化膜と、上記第1の窒化膜サイドウォール及び保護酸化膜の上に形成された第2の窒化膜サイドウォールと、上記半導体基板内における上記ゲート電極の側方に位置する領域に形成された不純物拡散領域と、上記半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、上記層間絶縁膜を貫通して上記不純物拡散領域に到達する上記ゲート電極に対して自己整合的に形成されたコンタクトとを備えている半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (7件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 371

Fターム (119件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB18 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD43 ,  4M104DD55 ,  4M104DD91 ,  4M104EE06 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  4M104HH16 ,  5F001AA25 ,  5F001AB04 ,  5F001AB08 ,  5F001AD10 ,  5F001AD60 ,  5F001AD94 ,  5F001AF10 ,  5F001AG02 ,  5F001AG07 ,  5F001AG17 ,  5F001AG28 ,  5F004AA11 ,  5F004DB02 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F004DB15 ,  5F004EA12 ,  5F004EA27 ,  5F004EA28 ,  5F004EA33 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F004FA02 ,  5F033HH09 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM15 ,  5F033NN03 ,  5F033NN30 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ24 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033TT08 ,  5F033VV04 ,  5F033VV05 ,  5F033VV06 ,  5F033VV16 ,  5F033XX10 ,  5F040DA01 ,  5F040DC01 ,  5F040EC02 ,  5F040EC04 ,  5F040EC05 ,  5F040EC07 ,  5F040EC19 ,  5F040EF02 ,  5F040EH02 ,  5F040EH08 ,  5F040EJ03 ,  5F040EK01 ,  5F040EK05 ,  5F040FA03 ,  5F040FA07 ,  5F040FA10 ,  5F040FA16 ,  5F040FA17 ,  5F040FA18 ,  5F040FA19 ,  5F040FB02 ,  5F040FB04 ,  5F040FC00 ,  5F040FC02 ,  5F040FC22 ,  5F083EP23 ,  5F083EP44 ,  5F083EP54 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083ER21 ,  5F083GA02 ,  5F083GA30 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA32 ,  5F083JA33 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR09 ,  5F083PR21 ,  5F083PR36 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-162660   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-189054   出願人：株式会社東芝
• ゲート電極構造及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-025105   出願人：沖電気工業株式会社