特許
J-GLOBAL ID：200903055018107540

成膜方法

発明者：
立花 光博

立花 光博 について

, 
米永 富廣

米永 富廣 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-177191
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142425
出願日： 2002年06月18日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：
【要約】【課題】 低温のプロセス温度によるタングステン膜の形成工程を用いることで、バリヤ層として十分な膜厚を得るために従来行われた熱CVDによるTiN膜の形成工程を省略することが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】 真空引き可能な処理容器内にて被処理体Wの表面に所定の膜を形成する方法において、前記被処理体の表面にチタン膜32を形成するチタン膜形成工程と、前記チタン膜の表面を窒化して窒化膜34を形成する窒化工程と、前記被処理体の表面に、還元ガスとタングステン含有ガスとを交互に間欠的に1回、或いは複数回繰り返し供給しつつ比較的低温でタングステン膜36を形成するタングステン膜形成工程と、を有する。これにより、バリヤ層として十分に機能するタングステン膜を形成する。
請求項（抜粋）：
真空引き可能な処理容器内にて被処理体の表面に所定の膜を形成する方法において、前記被処理体の表面にチタン膜を形成するチタン膜形成工程と、前記チタン膜の表面を窒化して窒化膜を形成する窒化工程と、前記被処理体の表面に、還元ガスとタングステン含有ガスとを交互に間欠的に1回、或いは複数回繰り返し供給しつつ比較的低温でタングステン膜を形成するタングステン膜形成工程と、を有することを特徴とする成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/06
FI (3件)：
H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/06
Fターム (20件)：
4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD45 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22
引用特許：
審査官引用 (3件)

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