特許
J-GLOBAL ID：200903055031790535
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-154405
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332564
出願日： 2000年05月22日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：
【要約】【課題】 β及び信頼性の高いヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】 コレクタコンタクト層11のドーパントとしてSeを用い、コレクタ層12のドーパントとしてSiを用いることにより、エピタキシャル層成長前のウェハがもつ結晶性欠陥の伝搬を防止し、Siドーピングに比べて低キャリア濃度のドーピングにより同じキャリア濃度が得られることにより、コレクタコンタクト層自体の結晶性欠陥の低減に寄与し、SiドーピングしたHBTに比べてより高いβを得ることができる。また、この結晶性欠陥の低減はHBTの信頼性にも寄与し、長寿命を達成することができる。また、コレクタ層12は従来どおりSiをドーパントとして用いることにより、ベース層5中へのドーパントの拡散を低減し、信頼性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
気相エピタキシャル法により、基板上に、コレクタコンタクト層、コレクタ層、ベース層、エミッタ層及びエミッタコンタクト層が順次形成されるヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、上記コレクタコンタクト層のドーパントとしてSeが用いられ、上記コレクタ層のドーパントとしてSiが用いられることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
5F003AP00
, 5F003BA92
, 5F003BC02
, 5F003BC08
, 5F003BE04
, 5F003BE90
, 5F003BF06
, 5F003BM02
, 5F003BM03
, 5F003BP08
, 5F003BP31
, 5F003BP32
