半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-239528
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150519
出願日： 1999年08月26日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】デュアルダマシン法により配線層を形成する工程に関し、炭化水素系樹脂を低誘電率膜として用いる場合にも精度良く配線やホールを形成すること。【解決手段】第一の絶縁膜31、有機絶縁膜32、第二の絶縁膜33及び金属膜34を順に形成した後に、金属膜34に配線形状の開口34a を形成し、更に第二の絶縁膜33にビア形状の開口33a を形成した後に、第二の絶縁膜33をマスクに使用して有機膜32をエッチングし、更に金属膜34と有機膜32をマスクにして第一及び第二の絶縁膜31,33 を同時にエッチングし、次に、金属膜34をマスクにして有機絶縁膜32をエッチングして、この段階で有機絶縁膜32と第二の絶縁膜33に配線用溝37を形成して第一の絶縁膜31にビアホール38を形成する工程を含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、第一の絶縁膜、第一の有機絶縁膜、第二の絶縁膜、金属膜を順に形成する工程と、前記金属膜を部分的にエッチングして配線パターン形状をもつ第一の開口を形成する工程と、前記第二の絶縁膜のうち前記第一の開口の一部に重なる部分をエッチングしてヴィアパターン形状をもつ第二の開口を形成する工程と、前記第二の絶縁膜をマスクに使用して、前記第二の開口を通して前記第一の有機絶縁膜をエッチングして前記ヴィアパターン形状をもつ第三の開口を前記第一の有機絶縁膜に形成する工程と、前記金属膜の前記第一の開口を通して前記第二の絶縁膜をエッチングすることにより、前記配線パターン形状を有する第四の開口を前記第二の絶縁膜に形成すると同時に、前記第一の有機絶縁膜の前記第三の開口を通して前記第一の絶縁膜をエッチングすることにより前記ヴィアパターン形状を持つ第五の開口を前記第二の絶縁膜に形成して、該第五の開口をヴィアホールとして適用する工程と、前記第二の絶縁膜の前記第四の開口を通して前記第一の有機絶縁膜をエッチングして前記配線パターン形状をもつ第六の開口を前記第一の有機絶縁膜に形成し、該第六の開口と前記第四の開口を配線溝として適用する工程と、前記ヴィアホールと前記配線溝に同時に導電体を埋め込むことにより、前記ヴィアホール内にヴィアを形成するとともに前記配線溝内に配線を形成する工程と、前記金属膜を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 K , H01L 21/28 L , H01L 21/90 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

配線構造体の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-075519 出願人：松下電器産業株式会社
半導体素子の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-176218 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
配線構造の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-310346 出願人：日本電信電話株式会社

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