特許
J-GLOBAL ID：200903073598840973
半導体素子の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-176218
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049137
出願日： 1999年06月23日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：
【要約】【課題】 誘電率の低下および処理工程の簡略化をもたらす半導体素子の相互接続構造形成方法を提供する。【解決手段】 半導体素子基板(10)上に、トレンチ・レベル誘電体膜(26)およびビア・レベル誘電体膜(24)を形成する。トレンチ・レベル誘電体膜(26)に対して、ビア・レベル誘電体膜(24)に対するよりも高いエッチング選択性を有するエッチング化学薬品を用いて、トレンチ・レベル誘電体膜内にビア開口(42)をエッチングする。トレンチ・レベル誘電体膜(26)上にあるフォトレジスト層(52)にパターニングを行い、トレンチ開口(54)を形成する。第2エッチング化学薬品を用いて、ビア・レベル誘電体膜(24)をエッチングし、ビア開口(42)をビア・レベル誘電体膜(24)まで延長する。トレンチ・レベル誘電体膜(26)をエッチングし、トレンチ開口を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体素子の形成方法であって:半導体素子基板(10)上に、ビア・レベル誘電体膜(24)を形成する段階;前記ビア・レベル誘電体膜(24)上にトレンチ・レベル誘電体膜(26)を形成する段階;第1エッチング化学薬品を用いて、前記トレンチ・レベル誘電体膜(26)内にビア開口(42)をエッチングする段階であって、前記第1エッチング化学薬品が、前記トレンチ・レベル誘電体膜(26)に対して、前記ビア・レベル誘電体膜(24)に対するよりも高いエッチング選択性を有する、段階;前記トレンチ・レベル誘電体膜(26)上にフォトレジスト層(52)を形成する段階であって、前記トレンチ・レベル誘電体膜(26)内の前記ビア開口(42)を露出させるフォトレジスト開口(54)を有する前記フォトレジスト層(52)を形成する段階;第2エッチング化学薬品を用いて、前記ビア・レベル誘電体膜(24)をエッチングし、前記ビア開口(42)を前記ビア・レベル誘電体膜(24)まで延長する段階;および前記フォトレジスト開口(54)を通じて、前記トレンチ・レベル誘電体膜(26)の部分をエッチングし、相互接続開口(80)を形成する段階;から成ることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306
, H01L 21/768
H01L 21/306 D
, H01L 21/90 C
