成膜装置及び成膜方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：柳瀬睦肇 (外1名) , 柳瀬睦肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-015140
公開番号（公開出願番号）：特開2003-213425
出願日： 2002年01月24日
公開日（公表日）： 2003年07月30日
要約：

【要約】【課題】超臨界状態の流体又は液体に成膜原料を混合した原料流体を用いて薄膜を成膜する成膜装置及び成膜方法を提供する。【解決手段】本発明に係る成膜装置は、形成目的とする金属酸化物構成元素からなる縮重合体とアルコールと超臨界状態の流体又は液体の二酸化炭素とを混合した原料流体を供給して薄膜形成する装置である。この成膜装置は、基板3を保持する基板ホルダー2と、この基板ホルダーを収容する成膜チャンバー1と、上記原料流体を基板表面に供給する供給機構と、上記基板ホルダー2に保持された基板3を加熱するランプヒータ4と、を具備するものである。これにより、超臨界状態の流体又は液体に成膜原料を混合した原料流体を用いて薄膜を成膜することができる。

請求項（抜粋）：

形成目的とする金属酸化物構成元素からなる縮重合体とアルコールと超臨界状態の流体又は液体の二酸化炭素とを混合した原料流体を供給して薄膜形成する成膜装置であって、基板を保持する基板ホルダーと、この基板ホルダーを収容する成膜チャンバーと、上記原料流体を基板表面に供給する供給機構と、上記基板ホルダーに保持された基板を加熱する加熱装置と、を具備することを特徴とする成膜装置。

IPC (3件)：

C23C 16/455 , H01L 21/31 , H01L 21/316

FI (3件)：

C23C 16/455 , H01L 21/31 A , H01L 21/316 C

Fターム (27件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA42 , 4K030EA01 , 4K030EA03 , 4K030FA03 , 4K030FA08 , 4K030FA10 , 4K030FA12 , 4K030GA06 , 4K030KA24 , 5F045AA20 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AC18 , 5F045AD04 , 5F045AE25 , 5F045AF03 , 5F045BB14 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EK14 , 5F045HA16 , 5F058BA05 , 5F058BC03 , 5F058BF46 , 5F058BH03

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平4-168277
薄膜気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-108465 出願人：株式会社荏原製作所
異物除去方法,膜形成方法,半導体装置及び膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-018265 出願人：松下電器産業株式会社

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審査官引用 (8件)

特開平4-168277
特開平4-168277
薄膜気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-108465 出願人：株式会社荏原製作所

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