特許
J-GLOBAL ID：200903055060212737

窒化物半導体多層堆積基板および窒化物半導体多層堆積基板の形成方法

発明者：
岩谷 素顕

岩谷 素顕 について

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竹内 哲也

竹内 哲也 について

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天野 浩

天野 浩 について

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赤▲崎▼ 勇

赤▲崎▼ 勇 について


出願人/特許権者：
ヒューレット・パッカード・カンパニー

ヒューレット・パッカード・カンパニー について


代理人 (1件)： 上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-322859
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133601
出願日： 1998年10月28日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】多層薄膜の結晶性を改善する。【解決手段】窒化物半導体の低温堆積緩衝層とその直上に堆積した窒化物半導体の単結晶層とから成る層対を複数備える多層堆積基板において、少なくとも一つの前記単結晶層に成長面内の結晶歪が下部の単結晶層の成長面内の結晶歪から圧縮側へ移行するようにした。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体の低温堆積緩衝層とその直上に堆積した窒化物半導体の単結晶層とから成る層対を複数備える多層堆積基板において、少なくとも一つの前記層対の前記単結晶層が該層対の堆積する前記層対の単結晶層に対しその成長面内で圧縮歪側への歪移行をおこなうことを特徴とする窒化物半導体多層堆積基板。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Fターム (23件)：
5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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