特許

J-GLOBAL ID：200903055060212737

窒化物半導体多層堆積基板および窒化物半導体多層堆積基板の形成方法

発明者： 岩谷 素顕 ,  竹内 哲也 ,  天野 浩 ,  赤▲崎▼ 勇
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-322859
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133601
出願日： 1998年10月28日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】多層薄膜の結晶性を改善する。【解決手段】窒化物半導体の低温堆積緩衝層とその直上に堆積した窒化物半導体の単結晶層とから成る層対を複数備える多層堆積基板において、少なくとも一つの前記単結晶層に成長面内の結晶歪が下部の単結晶層の成長面内の結晶歪から圧縮側へ移行するようにした。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体の低温堆積緩衝層とその直上に堆積した窒化物半導体の単結晶層とから成る層対を複数備える多層堆積基板において、少なくとも一つの前記層対の前記単結晶層が該層対の堆積する前記層対の単結晶層に対しその成長面内で圧縮歪側への歪移行をおこなうことを特徴とする窒化物半導体多層堆積基板。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (23件)：

5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 単結晶III-V族化合物半導体層の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-184740   出願人：ソニー株式会社
• 3族窒化物半導体の製造方法及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-025852   出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-199390   出願人：富士通株式会社