特許
J-GLOBAL ID：200903055071347626
発光ダイオードおよび発光ダイオードアレイ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-235194
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060721
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：
【要約】【課題】 発光窓直下の活性層領域に注入電流が集中し、上部電極による遮光がない構成にする。【解決手段】 基板12、バッファ層13、N型下部クラッド層14、活性層15、P型上部クラッド層16、N型キャリアブロック層17、P型キャリア移送層18、およびコンタクト層19かならる複合半導体基板11中に、コンタクト層19からP型上部クラッド層16中に至るP型拡散領域が形成された構成である。上部電極29a直下は注入電流をブロックするpnp層構成となり、注入電流が発光窓直下に集中する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、順に、第1導電型半導体の下部クラッド層、半導体の活性層、第2導電型半導体の上部クラッド層、第1導電型半導体の上部第1層、および第2導電型半導体の上部第2層とを、少なくとも含む半導体層構成を有し、前記上部第2層および前記上部第1層を貫通して、発光窓の最表面の半導体層から前記上部クラッド層中に至る第2導電型の拡散領域が形成され、前記発光窓に隣接した、絶縁膜のコンタクト窓を介して、最表面の第2導電型半導体層に上部電極が接続されている、ことを特徴とした発光ダイオード。
Fターム (14件)：
5F041AA04
, 5F041AA10
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA23
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA72
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA82
, 5F041CA92
, 5F041CB03
, 5F041CB25
