特許
J-GLOBAL ID：200903055088223050
絶縁膜およびその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061140
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148461
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】絶縁破壊寿命が長く、電荷トラップ量を低減でき、しかもストレスリーク量を飛躍的に低減できる絶縁膜およびその形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】基体表面に形成されており、酸素を含む材料により構成された絶縁膜であって、絶縁膜の基体表面から厚さ約1nmの部分を光電子分光法により光電子取り出し角度15°以下で分析したときに、絶縁膜における炭素1sピーク位置で帯電補正し、同様に帯電補正したα-クォーツ結晶から求められた酸素1sピーク位置における第1のピークと、酸素1sピーク位置から+0.87eV、-0.35eV、-0.83eVの位置における第2〜第4のピークとにより、酸素1sピークを同じ半値幅1.208eVで分離したときに得られる第1〜第4のピークの相対量が、第2および第4のピークよりも第3のピークが大きく、かつ第3のピークよりも第1のピークが大きいことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基体表面に形成されており、酸素を含む材料により構成された絶縁膜であって、前記絶縁膜の前記基体表面から厚さ約1nmの部分を光電子分光法により光電子取り出し角度15°以下で分析したときに、前記絶縁膜における炭素1sピーク位置で帯電補正し、同様に帯電補正したα-クォーツ結晶から求められた酸素1sピーク位置における第1のピークと、前記酸素1sピーク位置から+0.87eV、-0.35eV、-0.83eVの位置におけるそれぞれ第2〜第4のピークとにより、前記酸素1sピークを同じ半値幅1.208eVで分離したときに得られる前記第1〜第4のピークの相対量が、前記第2および第4のピークよりも前記第3のピークが大きく、かつ前記第3のピークよりも前記第1のピークが大きいことを特徴とする絶縁膜。
IPC (6件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 21/316
, H01L 27/115
, H01L 29/78
H01L 29/78 371
, H01L 21/316 S
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 301 G
