特許

J-GLOBAL ID：200903055126549118

半導体装置およびその製造方法

発明者： 牧田 直樹 ,  本橋 宗之 ,  守口 正生 ,  坂本 弘美
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-135773
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329969
出願日： 1998年05月18日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 絶縁表面を有する基板上に、非常に高性能で高信頼性を有する半導体装置を歩留まりよく作製する製造方法およびその方法を用いて作製した半導体装置を提供すること。【解決手段】 本発明の半導体装置は、絶縁表面を有する基板上に活性領域を有する。活性領域は、触媒元素が導入された領域から、触媒元素を引き寄せる元素が導入された領域へと横方向に非晶質ケイ素膜を結晶成長させた結晶性ケイ素膜から構成される。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に活性領域を有する半導体装置であって、該活性領域が、触媒元素が導入された領域から該触媒元素を引き寄せる元素が導入された領域へと横方向に非晶質ケイ素膜を結晶成長させた結晶性ケイ素膜から構成される、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-151543   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162703   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-216608   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所