埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子およびその製造方法並びにそれを用いた光モジュール

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-240625
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068788
出願日： 1999年08月26日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 CM-BH構造においてAlを含む再成長界面の酸化を防いで良好なレーザ特性および素子寿命を得る。【解決手段】少なくとも第1導電型の第1クラッド層103、活性層105および第2導電型の第2クラッド層107からなるメサストライプ部131aの両側131bに電流狭窄に寄与する埋め込み層111が設けられ、その上に全面に第2導電型の第3クラッド層121が設けられている。第2クラッド層107の少なくとも最上部にAlを含み、その上にそれよりもAl組成比が小さい第2導電型のメサ保護層108を設けて再成長界面132aの酸化を防ぐ。また、埋め込み層111の少なくとも最上部がAlを含み、その上にそれよりもAl組成比が小さい埋め込み保護層を設けて再成長界面132bの酸化を防ぐ。或いは、再成長前にAlを含む再成長界面をBHF等で清浄化処理する。

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくとも第1導電型の第1クラッド層、活性層および第2導電型の第2クラッド層からなるメサストライプ構造と、該メサストライプ構造の両側を埋め込んで電流狭窄に寄与する埋め込み層と、該メサストライプ構造上および該埋め込み層上にわたって積層された第2導電型の第3クラッド層とを有し、該第2クラッド層の少なくとも最上部がAlを含む材料からなる埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子において、該第2クラッド層上に該第2クラッド層の最上部よりもAl組成比が小さい材料からなる第2導電型のメサ保護層を有する埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子。

Fターム (10件)：

5F073AA07 , 5F073AA22 , 5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CA17 , 5F073CB10 , 5F073CB11 , 5F073DA23

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-257881 出願人：シャープ株式会社
特開平2-014591
再成長界面の表面処理方法およびレーザダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-107735 出願人：沖電気工業株式会社

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