特許
J-GLOBAL ID：200903060268665984

半導体レーザ素子

発明者：
松本 晃広

松本 晃広 について

, 
大林 健

大林 健 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-257881
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107369
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 接合界面付近の活性層に酸化に起因する非発光再結合準位が形成され、レーザ発振に寄与しない無効電流が発生する。さらに、結晶欠陥が発生し、無効電流のさらなる増大が生じる。【解決手段】 第1導電型のGaAs基板1上に、少なくとも第1導電型の第1クラッド層2と、活性層5と、第2導電型の第2クラッド層7とを有し、少なくとも前記活性層5と第2クラッド層7を含む領域にメサストライプ9が形成され、該メサストライプ9の外部には第1、第2、第3電流阻止層10、11、12を備えてなり、前記活性層5はAlを含まないInGaAsPから成り、前記第1、第2クラッド層2、7は少なくともAlを含有してなる。また第1、第2クラッド層2、7よりも禁制帯幅の小さい第1、第2ガイド層4、6、あるいは第1クラッド層より禁制帯幅の小さい保護層3を設ける。
請求項（抜粋）：
第1導電型のGaAs基板上に、少なくとも第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、第2導電型の第2クラッド層とを有し、少なくとも前記活性層と第2クラッド層を含む領域がメサ状領域からなり、該メサ状領域の外部には電流阻止領域を備えてなる半導体レーザ素子において、前記活性層はAlを含まないInGaAsPから成り、前記第1、第2クラッド層は少なくともAlを含有してなることを特徴とする半導体レーザ素子。
引用特許：
審査官引用 (9件)
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