特許

J-GLOBAL ID：200903055222709193

半導体装置とその製造方法

発明者： 板垣 峰広 ,  中村 嘉文
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-304633
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150118
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】高密度実装が容易なLGAタイプのものにおいて、半導体装置をソケットまたは治具に装着してプロービングにより検査する際に、均一なプロービングが行える半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】表面に配線電極を有しこの配線電極に電気的に接続された格子状の電極を裏面に有するキャリア基板と、前記配線電極にフリップチップ実装により搭載された半導体素子からなる半導体装置において、半導体素子がキャリア基板のキャビティ内に搭載され、キャビティの深さを半導体素子の搭載後の高さと同じにすることでモノリス構造とする。

請求項（抜粋）：

表面に配線電極を有し、前記配線電極に電気的に接続された格子状の電極を裏面に有するキャリア基板と、前記配線電極にフリップチップ実装により搭載された半導体素子からなる半導体装置において、前記キャリア基板が前記半導体素子を収容するためのキャビティを備え、前記半導体装置が前記キャビティ内に搭載されており、かつ前記キャリア基板の表面とキャビティ内に搭載された前記半導体装置の上面とが実質的に同一平面を形成することを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 23/12 N

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-206153   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-047004   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-104879   出願人：富士通株式会社