特許

J-GLOBAL ID：200903055224948608

フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法

発明者： 三坂 章夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-128037
公開番号（公開出願番号）：特開2003-322949
出願日： 2002年04月30日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：

【要約】【課題】 孤立スペースパターンと孤立ラインパターン又は密集パターンとを同時に微細化できるようにする。【解決手段】 透過性基板10における透光部形成領域(開口部形成領域)以外の他の領域の上に、露光光を低透過率で透過させるハーフトーン膜11が形成されていると共に、ハーフトーン膜11における開口部形成領域の周辺部の上に完全遮光膜12が形成されている。

請求項（抜粋）：

露光光に対して透光性を有する透過性基板と、前記透過性基板における透光部形成領域以外の他の領域の上に形成されており、前記露光光に対して所定の透過率を持つことにより遮光性を有すると共に前記透過性基板との間で前記露光光に対して(ー30+360×n)度以上で且つ(30+360×n)度以下(但しnは整数)の位相差を生じる半遮光膜と、前記半遮光膜における前記透光部形成領域の周辺部の上に形成されており、前記露光光に対して1%よりも小さい透過率を持つ完全遮光膜とを備えていることを特徴とするフォトマスク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 515 D

Fターム (5件)：

2H095BA01 ,  2H095BB03 ,  2H095BB31 ,  2H095BC04 ,  5F046CB22

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-191287   出願人：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
• フォトマスクおよびこれを用いた露光方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-352110   出願人：日本電気株式会社
• 位相シフト・マスクおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-239817   出願人：ソニー株式会社
• フォトマスク及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-167670   出願人：日本電気株式会社