III族窒化物半導体発光ダイオード、発光ダイオードランプ、光源、III族窒化物半導体発光ダイオード用電極およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柿沼伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-116251
公開番号（公開出願番号）：特開2002-084001
出願日： 2001年04月16日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】従来のIII族窒化物半導体LEDでは、オーミック電極を兼ねる台座電極のみからLED駆動電流が供給されているため、駆動電流を発光領域の広範囲に拡散できず、高発光強度のIII族窒化物半導体LEDが都合良く提供されない問題を解決する。【解決手段】導電性基板上にリン化硼素(BP)系緩衝層を介して積層した積層構造体の表面層上に表面オーミック電極、導電性透明酸化物結晶層からなる窓層、および台座電極を設けて、駆動電流を発光領域に広範囲に拡散させることにより、高発光強度のIII族窒化物半導体LEDを提供する。

請求項（抜粋）：

裏面に第1導電形の裏面オーミック電極を備えた第1導電形の単結晶基板と、該単結晶基板の表面上に形成されたリン化硼素(BP)系材料からなる緩衝層と、該緩衝層上に設けられた、ヘテロ接合構造の発光部を含む窒化ガリウム(GaN)系III族窒化物結晶層と、該III族窒化物結晶層上に設けられた導電性透明酸化物結晶層からなる窓層とを少なくとも備えたIII族窒化物半導体発光ダイオードにおいて、前記III族窒化物結晶層の表面と前記窓層との間に、前記窓層と導通をなす第2導電形の表面オーミック電極が、前記III族窒化物結晶層の表面と接して形成され、前記窓層の上側表面の中央に結線用の台座電極が形成されていることを特徴とするIII族窒化物半導体発光ダイオード。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C , H01L 21/28 301 G

Fターム (22件)：

4M104AA04 , 4M104BB02 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104GG04 , 5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041AA05 , 5F041CA03 , 5F041CA04 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA85 , 5F041CA87 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA93 , 5F041FF11 , 5F041FF13

引用特許：

審査官引用 (6件)

化合物半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-328558 出願人：株式会社東芝
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-128452 出願人：シャープ株式会社
特開平2-275682

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