特許
J-GLOBAL ID：200903069732097533
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-109114
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303506
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光素子の動作電圧を低減できるようにする。【解決手段】 面方位が(0001)のサファイアよりなる基板11上には、上部に段差部を有するn型GaN層13が形成されている。n型GaN層13上における段差部の上段側には、活性層16bを含む多重量子井戸層16と、p型Al0.1 Ga0.9 Nよりなるp型クラッド層18と、p型GaN0.95P0.05よりなるコンタクト層20と、断面T字形で且つその脚部が酸化シリコンよりなる電流狭さく層21に囲まれたNiよりなる第1の金属膜22a及び該第1の金属膜22aの上にAuよりなる第2の金属膜22bが積層されてなる陽電極22とが形成されている。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成され、窒素を含むIII -V族化合物よりなる第1導電型の第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層の上に形成され、窒素を含むIII -V族化合物よりなる活性層と、前記活性層の上に形成され、窒素を含むIII -V族化合物よりなる第2導電型の第2のクラッド層と、前記第2のクラッド層の上に形成され、リン及び窒素又はヒ素及び窒素を含むIII -V族化合物よりなる第2導電型のコンタクト層と、前記コンタクト層の上に形成された電極とを備えていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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