特許
J-GLOBAL ID：200903055238960597
テーパ導波路集積半導体レーザとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-263760
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125279
出願日： 1994年10月27日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 単一モード光ファイバとの光の結合が容易で、高性能なテーパ導波路集積型半導体レーザを、高い製造歩留まりで提供すること。【構成】 (1)テーパ導波路の幅と厚さをそれぞれ活性層の幅、厚さよりも小さく設定し、また(2)部分的な不純物拡散工程、および選択成長法によって作製する、手法を採用した。これによってテーパ導波路での伝搬損失が十分抑制され、単一モードファイバとの結合の容易な半導体レーザが、高い製造歩留まりで提供できるようになった。
請求項（抜粋）：
発光再結合する活性層と、光ファイバとの光結合を容易にする出力テーパ導波路とが同一基板上にモノリシックに集積されたテーパ導波路集積型半導体レーザにおいて、前記テーパ導波路が埋め込み構造となっており、その幅、厚さがそれぞれ前記活性層の幅、厚さよりも小さいことを特徴とするテーパ導波路集積型半導体レーザ。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, G02B 6/122
, G02B 6/13
G02B 6/12 B
, G02B 6/12 M
